[빅데이터뉴스 성상영 기자] SK하이닉스(000660)가 세계 최고층인 321단 1테라비트(Tb) 트리플 레벨 셀(TLC) 4D 낸드 플래시를 적용한 모바일용 메모리 제품 범용 플래시 저장장치(UFS) 4.1을 개발했다고 22일 밝혔다.

이 제품은 이전 세대 제품보다 두께와 전력 효율, 전송 속도 등이 대폭 개선된 차세대 메모리다. 모바일 기기 내에서 인공지능(AI) 작업을 처리하는 온디바이스 AI에 최적화됐다. 특히 최근 스마트폰 시장에서 새로운 유행으로 떠오른 '초슬림(초박형)' 제품을 겨냥했다.

SK하이닉스는 "모바일에서 온디바이스 AI를 안정적으로 구현하려면 기기에 탑재되는 낸드 제품 역시 고성능과 저전력 특성을 고루 갖춰야 한다"며 "AI 워크로드(작업 종류와 양)에 최적화된 UFS 4.1 기반 제품을 통해 플래그십 스마트폰 시장에서도 메모리 리더십을 선도하겠다"고 전했다. 대량의 데이터를 빠른 시간에 처리해야 하는 AI 구현에 초점을 맞췄다는 설명이다.

신형 UFS 4.1은 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀을 321층으로 쌓아 성능을 끌어올린 낸드 플래시 메모리다. 낸드 플래시는 전원을 끄면 데이터가 지워지는 휘발성 메모리인 D램과 달리 일반적인 사진·영상 등 파일이 저장되는 저장장치다.

UFS 4.1은 이전 세대인 238단 기반 제품과 비교해 전력 효율이 7% 개선됐다. SK하이닉스는 제품 두께를 기존 1㎜에서 0.85㎜로 줄이는 데도 성공했다.

해당 제품의 순차 읽기 속도는 초당 최대 4300MB에 달한다. 무작위(랜덤) 읽기·쓰기 속도는 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상됐다. 이는 현존 UFS 4.1 제품 중 세계 최고 수준이다. 저장 용량은 512GB와 1테라바이트(TB) 2가지로 개발됐다.

SK하이닉스는 올해 안에 고객사에 제품을 제공해 인증을 진행하고 내년 1분기부터 본격적으로 양산에 돌입한다는 계획이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄사장(CDO)은 "이번 제품 출시를 시작으로 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반 소비자용, 데이터센터용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 제품도 연내 개발을 완료할 계획"이라며 "낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축해 풀스택 AI 메모리 프로바이더(모든 영역에서 AI 메모리를 제공하는 공급자)로서 입지를 굳건히 하겠다"고 말했다.

성상영 빅데이터뉴스 기자 ssy@thebigdata.co.kr